技术编号:7264810
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法是利用硅烷偶联剂有机膜层来钝化和修饰碳基半导体器件衬底表面,具体包括以下步骤将清洗后的衬底放入烘箱内120℃干燥处理20分钟;配制硅烷偶联剂溶液,利用有机溶剂溶解并稀释硅烷偶联剂,将要处理衬底浸入稀释液中;在氮气或者空气环境下,将浸润后的衬底加热至100℃~150℃,使硅烷偶联剂单体于衬底表面发生脱水缩合反应生成聚合体,从而在衬底表面形成硅烷偶联剂有机膜层。利用本发明,由于使用经过硅烷偶联剂处理过表面的衬底,所以减小了由于衬底表面极性散...
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