技术编号:7264857
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构,属于半导体器件封装领域。该封装结构包括半导体衬底、导电金属柱、氧化层、反应界面层和焊料凸点;所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层,焊盘开口上方设有导电金属柱,其材质为铜或铜合金;所述导电金属柱的侧面裹有氧化层,导电金属柱的上方设有反应界面层,反应界面层的材料为铁镍合金或铁镍磷合金;所述反应界面层上方设有焊料凸点,所述焊料凸点的材料为锡或锡合金。本发明利用FeNi合金或FeNi...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。