技术编号:7264898
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成,并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着,修剪所述间隔物掩模。最后,去除所述牺牲掩模,以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。专利说明利用间隔物掩模的频率加倍[0001]相关申请交叉引用[0002]此申请要求2007年6月I日递交的美国临时申请No. ...
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