技术编号:7265046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,包括如下步骤在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层;在衬底上形成一P型掺杂场限环区;在衬底上形成一P型掺杂阳极区;刻蚀去除牺牲氧化层;对衬底退火,以形成PN结;通过离子注入向衬底表面注入氧;对衬底退火,以在衬底表面形成二氧化硅层;刻蚀去除二氧化硅层;形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。其消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部,减小了此处的电场强度,从而提高了快恢复二极管器件击穿电压以及可靠性。专利说明[0001]本发明涉及半导体加工制造领域,更具体...
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