技术编号：7265061
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括如下步骤步骤1取一单晶衬底；步骤2在单晶衬底上，外延生长单晶薄膜；步骤3在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO2纳米薄膜；步骤4利用双能态氮离子注入的方法，从SiO2纳米薄膜的表面向下注入氮元素，在SiO2纳米薄膜的下面形成p型掺杂层，形成样品；步骤5对样品做快速热退火处理；步骤6去除样品表面的SiO2纳米薄膜，完成制备。本发明与现有的微电子器件制造工艺相兼容，易于实施。此外，本方法还可适用于本征碲化锌体单晶表面的p型掺杂，以及供其它II-VI族化合物...
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