技术编号:7265147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种具有n+埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层,还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS;所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS设置在SOI层上,高压nLDMOS设置在高压pLDMOS和低压CMOS之间;其特征在于,所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS之间通过浅槽介质隔离区和层间介质相互隔离,所述层间介质与埋氧...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。