半导体结构的制作方法技术资料下载

技术编号:7265250

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本发明是有关于一种半导体结构,包含有载体、第一保护层、第二保护层及第三保护层,该第一保护层的第一表面具有第一抗应力区,该第二保护层显露该第一抗应力区,该第二保护层具有第一侧面及第二侧面,由该第一侧面的第一底边延伸形成的第一延伸线与由该第二侧面的第二底边延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点,该第三保护层具有第三侧面及第四侧面,该第三侧面在该第一表面形成有第一投影线,该第一投影线的延伸线与该第二底边相交形成有第一交点,该第四侧面在该第一表面形成有第二投影线,...
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