技术编号：7265260
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种嵌入式闪存存储器件，包括栅叠件，以及位于半导体衬底中的源极和漏极区。第一源极和漏极区位于栅叠件的相对两侧。栅叠件包括位于半导体衬底上方的底部介电层、位于底部介电层上方的电荷捕获层、位于电荷捕获层上方的顶部介电层、位于顶部介电层上方的高k介电层，以及位于高k介电层上方的金属栅极。本发明还提供了一种形成嵌入式闪存存储器件的方法。专利说明 [0001]本发明总体涉及半导体领域，更具体地，涉及。 背景技术 [0002] 使用介电捕获层或浮...
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