技术编号:7265378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制程工艺,尤其涉及,在Si单晶片正面形成基本的金属氧化物半导体场效应晶体管结构,所述金属氧化物半导体场效应晶体管结构包括由多晶硅和氧化硅组成的栅极、p基区、n+发射区以及栅极和发射区上方的正面金属电极,所述的Si单晶片为n型的单晶Si片,本发明解决了常规材料和传统工艺难以在IGBT中形成FS层以及FS-IGBT与常规IGBT的工艺兼容性问题。结合了材料的选择、工艺的调整及设备的结合与兼容等创新型手段。专利说明[0001]本发明属于电力电子器...
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