技术编号:7265522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种ITO薄膜的制备方法,至少包括以下步骤S1提供一衬底,将所述衬底放置于磁控溅射设备腔体内,并通入氩气,然后利用射频电源使氩气起辉并产生氩等离子体;S2再施加直流电源,在所述衬底表面形成一ITO保护层;S3关掉所述射频电源;在所述磁控溅射设备腔体内通入预设流量的辅助气体,在所述ITO保护层上形成至少一层折射率小于所述ITO保护层折射率的ITO薄膜层;所述ITO保护层及其上所有的ITO薄膜层共同形成折射率渐变的ITO薄膜。使用该ITO薄膜的LED...
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