技术编号:7265608
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种ONO结构的栅极侧墙的制作方法,包括采用炉管原子层沉积工艺,在栅极两侧和顶部形成第一二氧化硅层;采用炉管原子层沉积工艺,在所述第一二氧化硅层上形成氮化硅层;采用炉管原子层沉积工艺,在所述氮化硅层上形成第二二氧化硅层,所述第二氧化硅层、氮化硅层、和第一氧化硅层形成ONO结构的栅极侧墙。本发明提高了ONO结构的栅极侧墙的均匀性和台阶覆盖率,提高了最终形成的半导体器件的性能。专利说明ONO结构的栅极侧墙的制作方法[0001]本发明涉及半导体工艺领...
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