技术编号：7265624
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻胶；执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；将在第一光刻胶膜中有第一栅极线条结构的硅片放置于充满硅烷化材料气体的腔体中固化第一栅极线条结构，加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；以剩余...
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