技术编号：7265733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括在半导体衬底形成氧化层和氮化层，并刻蚀形成浅沟道隔离凹槽；对的浅沟道隔离凹槽两侧氮化层进行刻蚀；通过倾斜角度在所述浅沟道隔离凹槽的侧壁上方注入离子；在所述浅沟道隔离凹槽表面形成衬氧化层；并填充隔离材料，进行平坦化处理。通过离子注入，增加AA区顶角处的离子掺杂浓度，避免后续工艺中硼离子的损失，改善双峰颈结效应，最终提高器件的性能。专利说明 [0001]本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，特别涉及一种。 背景技术 [0002]...
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