技术编号:7265734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种NMOS晶体管结构及其制造方法,其中,所述制造方法包括在半导体衬底上依次形成虚拟栅极,以及位于所述虚拟栅极两侧的半导体衬底内的第一碳化硅源/漏区;对所述虚拟栅极及其底部的部分半导体衬底进行刻蚀,形成凹槽,所述凹槽呈sigma形状,或者底部为三角形状;在所述凹槽内外延第二碳化硅层与锗化硅层,所述锗化硅层呈U型填满所述凹槽。通过设置第一碳化硅源/漏区,并且在源区与漏区之间的凹槽中设置第二碳化硅层与锗化硅层,以此改善短沟道效应,增大沟道区域的应力...
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