技术编号:7266228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了半导体器件及其形成方法、非瞬时计算机可读存储介质。本发明具体公开了形成异质结双极晶体管地方法,该方法包括提供包括至少本征基极区域和发射极基座区域的结构。在本征基极区域上形成堆叠。堆叠包括多晶硅层和顶部牺牲氧化物层。在结构中形成沟槽。沟槽限定本征基极区域和堆叠的范围。在堆叠周围的两个区域形成非本征基极。通过选择性外延生长工艺形成非本征基极,以在沟槽之上产生桥。桥连接所述两个区域。在堆叠中提供开口。开口暴露本征基极区域的一部分。在开口中形成发射极。...
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