技术编号：72833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种半导体集成电路，具体地说涉及一种半导体集成电路中的输出MOS晶体管的过电压保护电路。 背景技术通常，过电压保护电路被广泛用于保护晶体管免遭诸如电涌电压(serge voltage)此类的过电压的损害，在日本公开专利申请(JP-A-Heisei 06-204410)中披露的动态箝位电路也被称为过电压保护电路。 图1示出这种动态箝位电路的结构，其由电阻器5、MOS晶体管6、输出MOS晶体管7、负载9和动态箝位电路10组成。如图1所示，输出MOS晶体管7和负载9串联在第一电源1和第二电源2之间，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。