技术编号:7292903
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路,尤其涉及配合有效门极钳位的负电压关断的绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路。背景技术所谓绝缘栅双极晶体管(InsolatedGate Bipolar Transistor, IGBT)门极钳位是指通过电路设计将绝缘栅双极晶体管(IGBT)的门极电压钳位,即当有外部作用,如短路导致IGBT门极电压被动抬升时,通过电路设计维持门极电压稳定。这是保证IGBT可靠工作的必备功能。IGBT短路时,Ic剧烈增大,由于米勒电容...
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