技术编号:7314667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种用于驱动MOS栅控电源器件(MOS-gated powerdevice)的集成电路栅极驱动器,特别涉及一种防止同时打开高压侧和低压侧的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件的驱动器。背景技术 具有电容栅控输入端(capacitive gate control input)的电源开关器件如MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOS控制的晶闸管(MCT)因其在高的开关频率时的优越性能而广泛用在电子开关应用中,如ON/OFF负载控制、开关...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。