技术编号：7322984
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及IGBT控制，尤其涉及IGBT驱动保护模块 背景技术IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种既有功率MOSFET的高速交换功能，又有双极 型晶体管的处理高电压、大电流的能力的新型元件，其应用也来越广泛。而驱动电路的设计决定着能否正常的元件的性能。此外，IGBT模块可能由于过电 压、过电流等异常情况而受损。IGBT的门极驱动电路影响IGBT器件的通态压降、开关时间、 开关损耗、承受短路电流能力等参数，决定了 IGBT器件的静态与动态特性。所以，I...
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