技术编号:7333843
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种降低矩阵变换器的开关损耗的方法。 背景技术三相矩阵变换器由9个双向功率开关按照3X3开关矩阵形式组合而成,如图1所示。其中Su(i = a,b,c ; j = A,B,C)表示一个双向功率开关,每个双向功率开关由两个具有反并联二极管的绝缘栅极双级晶体管(IGBT)采用“共发射极”结构构成,也可以由两个反并联的逆阻型IGBT采用“共发射极”结构构成。矩阵变换器的输入侧为三相电网电压, 分别用ua,ub, u。表示,在矩阵变换器和电网之间接有输入...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。