技术编号:7338576
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体电路结构。背景技术在电压调整电路中,用PMOS做驱动管可以明显抑制输出对输入的干扰波动,而用NMOS做驱动管可以明显抑制输入对输出的干扰波动,因此,根据使用场合需要,两种电路都广泛应用。但是PMOS做驱动管的电路中,在上电过冲中很容易在输出端产生过冲。因此我们需要一个抑制过冲的电路。传统的抑制过冲电路在上电过程中,特别是快上电过程中,仍然过冲过大。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种通过POR来抑制电压调整电路上电过冲的结构,它可...
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