技术编号：7360772
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种级联电路结构具有安装在衬底(例如，陶瓷衬底)上的低压MOSFET和耗尽型功率器件，该级联电路结构于是可以设于半导体封装中。这使得能够降低电感，且如果需要则能够使用三端子封装。专利说明级联电路[0001]本发明涉及级联半导体器件。具体地，本发明涉及耗尽型晶体管，例如，高电子迁移率晶体管或结型栅场效应晶体管。示例是氮化镓(GaN)晶体管(例如，GaN高电子迁移率晶体管(HEMT))或碳化硅(SiC)场效应晶体管。背景技术[0002]本发明尤其关注于GaN功...
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