技术编号:7364310
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低温高密度等离子体产生技术,特别涉及一种等离子体激励电源。背景技术低温高密度等离子体产生技术要求有稳定的高电压宽脉冲输出,要求其脉冲电压需达5000V以上,电流需达10安培以上。而且在一个脉冲宽度范围内能够保持电压的波动的幅度< 5%。 传统的脉冲电源如图1所示,对输入的交流电压进行变压后再整流滤波,之后对直流电压进行斩波,生成脉冲电压。 在高密度等离子体放电的要求下,斩波控制所用到的元件要求就特别高了。像常用的IGBT管,大多耐压能力在1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。