功率模块的劣化探测装置制造方法技术资料下载

技术编号:7377964

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一种探测内置有半导体芯片(100)的功率模块的劣化的装置,具备劣化探测处理部(10),该劣化探测处理部根据检测半导体芯片(100)的温度而得到的温度信号(S1)中包含的交流信号与检测半导体芯片(100)的电力损耗而得到的电力损耗信号(S3)中包含的交流分量之间的传递特性,进行劣化探测处理,排除其他发热源的温度干扰的影响而可靠地探测功率模块的劣化度。专利说明功率模块的劣化探测装置 [0001] 本发明涉及探测集成半导体芯片来进行电力变换动作的功率模块的...
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