技术编号:7426585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及大功率电子学领域。本发明涉及驱动功率半导体元件的一种方法,该功率半导体元件是一种集成门双晶体管(IGDT),带有两个可控门,第一门提供在阴极一侧,并通过一个低电感的第一门连接端由第一门电流所驱动,而第二门提供在阳极一侧,并通过一个低电感的第二门连接端由第二门电流所驱动。本发明还涉及实现这种方法的一种电路装置。门关断晶闸管(GTO)是一种关断半导体元件-多年以来已经是众所周知-它具有特性恢复时间以及大于1的关断增益。为了切断,将一个以正向电流形式的...
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