技术编号:7441204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高压变频调速装置的功率单元旁路机构,尤其涉及一种采用单元串联多重化技术后的高压变频调速装置的功率单元旁路机构,属于高压变频调速装置。背景技术 近年来,随着电力电子技术的发展,促使了电力电子器件的发展,绝缘栅双极晶体管IGBT是在90年代得到迅速发展,其绝缘性能好、模块化程度高,工作频率可达20kHz,因此在低压变频调速装置上得到了广泛的应用。在高压变频调速中,由于IGBT的工作电压低,虽然目前已能作到3.3~4.5Kv,但还不能满足直接使用的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。