技术编号：7444058
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电路，特别是涉及。背景技术在风能或光伏等领域的单相并网逆变器技术中，如何尽可能地提高逆变器的转换 效率，是一个重要的技术问题。在现有的开关器件中，开关频率和损耗成为一对矛盾，IGBT 的导通压降低、通态损耗低，但开关损耗较高，不适合高频场合。功率MOSFET开关管的开 通、关断损耗低，适合应用在高频场合，但是导通损耗较IGBT高，且价格相对昂贵。在单相 并网逆变器的逆变电路的控制方法上，如何根据系统的特点采用相应的控制策略来提高系 统的效能，也是...
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