技术编号:7451251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种静电放电防护电路。背景技术在互补式金属氧化物场效应半导体(MOSFET)集成电路中,静电放 电(Electrostatic Discharge)现象已经引起人们广大的关注。在种类繁多 的静电放电防护器件中,GatedMOSFET由于其防护能力较佳,设计较简 单而受到广大设计者青睐。图1即为一种使用Gated MOSFET作为静电 放电防护器件的电路示意图,其中输出端静电放电防护电路可以由电路本 身的输出缓冲(outputbuffer)代替。以...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。