技术编号：7453016
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种大功率IGBT驱动装置，尤其涉及一种IGBT去米勒效应装置。背景技术绝缘栅双极晶体管IGBT常用驱动装置采用的保护措施，是使用双向稳压二极管抑制驱动装置中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动装置为了防止米勒效应产生的电压经常在G — E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对微秒的尖峰电压进行吸收，即在高频进行时吸收速度跟...
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