技术编号：7462738
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文中讨论的实施方案涉及。背景技术氮化物半导体具有如高的饱和电子漂移速度和宽的带隙等特性，因此被尝试用于高电压大功率半导体器件。例如，作为氮化物半导体的GaN具有大于Si的带隙(I. IeV)和GaAs的带隙(1.4eV)的3. 4eV带隙，并且还具有高的击穿场強。因此，GaN是非常有潜力的用于获得高电压和大功率的电源的半导体器件的材料。已经有大量关于包含氮化物半导体的半导体器件如场效应晶体管以及尤其关于高电子迁移率晶体管(HEMT)的报道。例如，在GaN...
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