技术编号:7505534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有使输入的电压升压功能的电压发生电路、电压发生装置及使用该装置的半导体装置及其驱动方法。背景技术 近年,通过多只MIS晶体管集成构成的LSI的微细化正在快速发展。在MIS晶体管中,大体遵循比例换算规则,使微细化处于进展中,与此相伴,栅极氧化膜已变得极薄。因此,为防止通过栅极氧化膜的泄漏电流增加或可靠性降低,要求电源电压的低电压化。例如,按照最小栅极长度为0.13μm的法则,栅极氧化膜厚度薄为1.5~1.9nm,电源电压低为1.2~1.5V。在M...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。