技术编号:7507837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及绝缘栅半导体器件,例如金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET’s),特别涉及用于功率开关应用的器件和一种用于驱动这种器件的方法。背景技术 在已知的MOSFET结构中,目前优选减小用于开关器件的栅极电压VGS,这意味着较大的输入栅电容。绝缘栅器件的栅结构所固有的电容限制了这种器件的开关速度。众所周知,Miller效应也对前述类型的器件栅极上的输入电容产生影响,在器件开关过程中,典型的商用MOSFET的输入电容会发生变化。当器件截止时,输入电容有一个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。