技术编号:7508015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用射频(RF)输入信号来提升DC电压的电路,其中该升压电路不会对RF信号路径造成较大的负载(衰减)。背景技术 图1为传统的单刀四掷(SP4T)大功率场效应晶体管(FET)RF开关100的电路图。RF开关100包含如图所示连接的电阻器110-113、120-123、130-133、140-143和150-154、电容器160-164、RF源171-174、以及n通道场效应晶体管114-116、124-126、134-136和144-146。电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。