技术编号：7508341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体衬底处理系统，更具体而言，涉及用于使耦合到单个电极的多个RF源的阻抗与等离子体的阻抗相匹配的匹配电路。背景技术 等离子增强型半导体处理腔被广泛用于集成器件的制造。在大多数等离子增强型半导体腔中，多个射频(RF)生成器被用于形成和控制等离子体。某些等离子增强型处理腔将来自多个源的RF功率馈送到将功率耦合到等离子体的单个电极。但是，在这些实施例中，每个RF源一般要求单独的馈送结构(例如单独的RF生成器，匹配输出、到电极的同轴电缆等等)。因...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。