技术编号:7508639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于半导体或集成电路制造领域,尤其涉及一种。背景技术 真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入反应气体,然后再对该真空反应室进行射频能量输入,该能量输入激活反应气体,在真空反应室内形成等离子体对半导体工艺件进行处理。在这个过程中,以往的技术是对真空反应室的下电极输入单一频率的射频能量,如美国相关国家标准为13.56MHz。随着半导体工艺件等离子体处理技术的不断发展,最近双射频能量输入技术被应用于真空反应室中反应气体的激活,提高等离子体对半导体工艺件的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。