技术编号:7509628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体基板上形成的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。背景技术 以往公知的表面声波元件及其制造方法是在硅基板等半导体基板上依次形成外延层和SiO2层,在SiO2层上面与平面方向并列地布置半导体配线区域和SAW(Surface Acoustic Wave,表面声波)区域,在SAW区域中,在形成为比半导体配线区域的SiO2层更厚的SiO2层上面形成由铝构成的梳齿状的IDT(Interdigital Transducer,叉指换能器)和压电层(Z...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。