技术编号:7510435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计,涉及一种新型的电压跟随器电路,可以广泛用于源极衰减结构跨导放大器和管子基于线性区工作的跨导放大器等电路的设计。背景技术 随着CMOS工艺的特征尺寸开始进入纳米量级,模拟电路需要工作在越来越低的供电电压下以适应工艺的要求。但是晶体管的阈值电压(VT)和饱和电压(VDsat)并没有随着供电电压同步线性减小。这些因素严重限制了模拟电路在低供电电压下的电压幅度。在公开的文献中,已经提出了如管子线性区工作,伪...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。