技术编号:7510838
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路器件和射频模块,更特别地涉及有效 地应用于包括安装在移动通信设备等上的天线开关的半导体集成电路 器件和射频模块的技术。背景技术例如,日本未经申请专利发布Hei 8(1996)-70245号(专利文档 1)公开由FET形成的SPDT (单刀双掷)开关。例如,双栅极FET 用作FET,电容元件耦连在第一栅极和源极之间,并且电容元件耦 连在第二栅极和漏极之间。使用该配置,可以实现具有低失真特性的 并且能够以低电压工作的射频开关(天线开关)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。