技术编号：7512292
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半桥、全桥驱动电路的设计，尤其涉及半桥、全桥电路从低压转到高压的电平位移和上管驱动电路的设计，用于驱动半桥、全桥电路中的高压金属氧化物半导体场效应管的栅级、三极管的基极或绝缘栅双极型晶体管的栅级。背景技术通常高压半桥驱动电路中包括二极管D1、电平位移电路、上管驱动电路、下管驱动电路，通过上管驱动电路驱动的上管Ql、通过下管驱动电路驱动的下管Q2和自举电容Cboot，如图1所示，上管Ql和下管Q2 —般为同一类型的高压功率管，所述高压功率管为几十伏...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。