技术编号:7512525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体电路,更具体而言涉及使用结型场效应晶体 管(JFET)器件的半导体电路。背景技术传统的结型场效应晶体管(JFET)是己知的。图19示出了传统的n 沟道JFET 1900的示意图。传统的n沟道JFET作为三端子器件来操作, 包括控制栅极1910、漏极1920和源极1930。在操作中,传统的JFET 1900充当耗尽型器件,从而在源极1930和漏极1920之间提供相对较低阻 抗的路径。响应于施加在控制栅极1910处的电压,耗尽区域可以被变...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。