技术编号：7512783
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体电压产生器电路，且更明确地说，涉及电容性电压倍增器电路。 背景技术许多集成电路(明确地说，使用单个电源电压的集成电路)并入有芯片上电路以产 生具有比电源电压的量值大的量值的"升高"电压。通常，将此升高电压用作用于集成 电路上所含有的电路的若干部分的真正电源电压。举例来说，某些类型的半导体存储器 (例如，"快闪"EEPROM存储器)通过使电子在隧穿电介质上加速且将电荷存储在场效 应晶体管上方的浮动栅极上，来对存储器单元进行写入。在现代装置上，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。