技术编号:7516313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及静电电容传感器。另外,对于将参考文献视为引入的指定国,参照于平成20年12月4日在日本国专 利申请的日本特愿2008-309408号申请文件所记载的内容,并引入本申请,作为本申请记 载的一部分。背景技术在具备于薄膜的正面形成有天线电极和接地电极的薄膜状电极部的静电电容传 感器中,公知有如下的技术,为了防止误检测也在薄膜的反面形成接地电极(专利文献1)。 在这样的静电电容传感器中,形成在薄膜上的天线电极和接地电极,经由连接器与位于其 他基板上的传感...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。