技术编号:7516634
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及现代功率电力电子技术,具体涉及一种高压固态开关,主要是利用新 型可控电力电子功率器件(功率绝缘栅场效应管MOSFET和绝缘栅双极性晶体管IGBT)构 成的开关,用于各种需要快速开关的高压领域。背景技术现代功率电子电路中使用的固态开关主要由固态器件经过特定组合而成的组件, 常用固态器件有可控硅SCR、绝缘栅场效应管MOSFET和绝缘栅双极性晶体管IGBT等半导体 器件。随着固态半导体器件的发展和成熟,特别是绝缘栅场效应管MOSFET和绝缘栅双极性 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。