技术编号:7517389
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及产生与差动电路一起使用的负电容的电路和方法。 背景技术为了提高差动信号路径的高频增益,可以使用图1的差动高通电路100。参考图 1,可以是金属氧化物半导体(MOS)晶体管的两个输入双极结型晶体管(BJT)Qa和Qb的输 入端上施加了差动输入信号。另一种说法,晶体管Qa和Qb (也称之为输入器件)接收一对 输入信号。在输入器件Qa和Qb的参考端(即,发射极或源极)之间连接了高通网络110, 以使输入信号的高频分量通过并阻挡输入信号的低频分量...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。