技术编号：7517958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及雪崩二极管在光纤数据传输中的运用，尤其是一种雪崩二极管的调试 和补偿方法。背景技术在现有技术中，最简单的雪崩光电二极管APD结构是在PIN光电二极管的基础上， 对P区和N区都进行了重掺杂，在邻近P区或者N区引进η型或P型倍增区，当反向电压增 加到一定时，就会产生新的电子和空穴对，这些新产生的电子和空穴对受电场的加速，获得 足够的能量后，又可以碰撞其它的硅原子，再碰击出新的电子和空穴对，按照这样雪崩似的 繁殖，将产生大量的载流子，实现光电流的放大。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。