技术编号：7517967
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于射频集成电路设计的，涉及一种集成电路中的锗化硅双 极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)射频集成电路，具体地说是一种应用于 0. 8GHz-2. IGHz频段的SiGe BiCMOS工艺宽带低噪声放大器。背景技术低噪声放大器在射频微波通信系统中位于射频前端，直接与接收天线相连，其性 能的好坏直接影响到整个系统的接收性能。特别是低噪声放大器的噪声系数直接影响接收 机的灵敏度和误码率。无线通信技术的飞速发展引领了新标准的不断推陈出新，用户...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。