技术编号:7518001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件的输出缓冲器,且特别是有关于一种可承载高电 压的半导体元件的输出缓冲器。背景技术图1显示传统串行闪存的SIO端的输出缓冲器100的线路图。当致能信号Z = KZB = 0)时,输出缓冲体100处于主动(active)模式。N型金属氧化物半导体(N_type metal oxide semiconductor ;NM0S)晶体管MN5 以及P型金属氧化物半导体(P_type metal oxide semiconductor ;P...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。