技术编号:7518124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及并且,特别地,涉及 ,其检测是所谓的智能功率器件(IPD)的 半导体装置的特性退化。背景技术功率MOSFET是能够处理大功率的器件之一。功率MOSFET具有诸如比其它的功率 器件高的开关速度的特点。日本未经审查的专利申请公开No. 2007-174756公布一种电源电路的导通故障检 测装置,其能够通过检测被用作在电源电路的导通和截止之间进行切换的开关器件的半导 体器件(功率M0SFET)的导通故障的征兆并且在电路的断开功能失效之前的时间点截止半 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。