技术编号：7518934
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。单极多掷开关背景技术在单极N掷射频(RF)开关中，介入损耗通过开关有源元件(例如CMOS晶体管，互补金属氧化物半导体晶体管)的导通电阻以及与断路端口旁路的1ΛΝ-1)电阻串联的断路端口的寄生电容的(N-I)倍而降低，用于改善端口到端口的隔离。可通过增加旁路的尺寸 (例如，长或宽)减少电阻以及通过外部LC匹配网络匹配电容。对于天线转换应用，例如， 对于ESD保护和在低侧频带上的寄生电容补偿增加并联电感器，而串联电感器-并联电容器网络用于高频带的匹配。某些已知...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。