技术编号:7519131
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电力电子领域,具体涉及一种具有保护功能的IGBT电路。 背景技术绝缘栅双极晶体管(IGBT)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有功率 MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点,又具有双极达林顿功率管(GTO)饱和电压 低、电流容量大、耐压高等优点,能正常工作于几十KHz频率范围内,故在较高频率的大、中 功率设备(如变频器、UPS电源、高频焊机等)应用中占据了主导地位。现有电力电子变换装置,由于器件水平的限制,当单个IGBT的容量不...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。